高純硅烷分析色譜應(yīng)用領(lǐng)域：

　　硅烷在大規(guī)模集成電路（LSI）、超大規(guī)模集成電路（VLSI）和半導(dǎo)體器件制造中，用于氣相外延生長、化學(xué)氣相淀積等工藝（工序）。

　　1.外延（生長）混合氣在半導(dǎo)體工業(yè)中，在仔細(xì)選擇的襯底上選用化學(xué)氣相淀積的方法，生長一層或多層的材料所用的氣體叫做外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅、四氯化硅和硅烷等。主要用于外延硅淀積，多晶硅淀積，氧化硅膜淀積，氮化硅膜淀積，太陽能電池和其他光感受器的非晶硅膜淀積等。外延生長是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。

　　2.化學(xué)氣體淀積（CVD）用混合氣CVD是利用揮發(fā)性化合物，通過氣相化學(xué)反應(yīng)沉積某種單質(zhì)或化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學(xué)反應(yīng)的一種成膜的方法。依據(jù)成膜種類，使用的化學(xué)氣相淀積（CVD）氣體也不同。

　　高純硅烷分析色譜主要特性：

　　1、全兼容惠普HP5890II氣相色譜儀,可直接接駁HP5890微型單絲熱導(dǎo)檢測器、氫火焰離子化檢測器及相關(guān)檢測器控制板．儀器技術(shù)指標(biāo)、性能，檢測器靈敏度可與ＨＰ５８９０相媲美！

　　2、全新集成數(shù)字電子電路，控制精度高，性能穩(wěn)定可靠，溫控精度可達(dá)０.０１℃．

　　3、*的進(jìn)樣口設(shè)計(jì)解決進(jìn)樣歧視；雙柱補(bǔ)償功能不僅解決升溫帶來的程序漂移，而且減去背景噪音的影響，可以得到更低的zui小的檢測限。